Pusvadītāju spiediena sensorus var iedalīt divās kategorijās, viena ir balstīta uz principu, ka pusvadītāja PN krustojuma (vai Schottky krustojums) I-201 raksturlielumi stresa apstākļos mainās. Šī spiediena jutīgā elementa veiktspēja ir ļoti nestabila un nav ievērojami attīstīta. Otrs ir sensors, kura pamatā ir pusvadītāju pjezorezistīvs efekts, kas ir galvenā pusvadītāju spiediena sensora dažādība. Pirmajās dienās pusvadītāju celma mērītāji lielākoties tika piestiprināti pie elastīgajiem elementiem, lai izveidotu dažādus sprieguma un celma mērīšanas instrumentus. Sešdesmitajos gados, attīstot pusvadītāju integrētu shēmas tehnoloģiju, parādījās pusvadītāju spiediena sensors ar difūzijas rezistoru, jo pjezorezistīvs elements parādījās. Šāda veida spiediena sensoram ir vienkārša un uzticama struktūra, nav relatīvu kustīgu detaļu, un sensora spiediena jutīgais elements un elastīgais elements ir integrēts, kas ļauj izvairīties no mehāniskas nobīdes un šļūdes un uzlabo sensora veiktspēju.

Pusvadītāja pusvadītāja pjezoresistīvajai iedarbībai ir raksturīga raksturlielums, kas saistīts ar ārējo spēku, tas ir, pretestību (ko raksturo simbols ρ) mainās ar stresu, ko tā nes, ko sauc par pjezorezistīvu efektu. Relatīvās pretestības izmaiņas vienības stresa darbībā tiek saukta par pjezorezistīvu koeficientu, ko izsaka simbols π. Matemātiski izteikts kā ρ/ρ = π σ.

Kur σ apzīmē stresu. Pretestības vērtības izmaiņas (R/R), ko izraisa pusvadītāju pretestība stresa apstākļos, galvenokārt nosaka ar pretestības izmaiņām, tāpēc pjezoresistīvā efekta ekspresiju var uzrakstīt arī kā r/r = πσ.

Ārējā spēka darbībā pusvadītāju kristālos rodas noteikts spriegums (σ) un celms (ε), un attiecības starp tiem nosaka Younga modulis (y) no materiāla, tas ir, y = σ/ε.

Ja pjezoresistisko efektu izsaka ar pusvadītāja celmu, tas ir r/r = gε.

G sauc par spiediena sensora jutības koeficientu, kas apzīmē pretestības vērtības relatīvās izmaiņas vienības celmā.

Pjezoresistīvs koeficienta vai jutības koeficients ir pusvadītāju pjezorezistiskā efekta fiziskais parametrs. Attiecības starp tām, tāpat kā saistību starp stresu un celmu, nosaka jaunā materiāla modulis, tas ir, g = π y.

Pusvadītāju kristālu anizotropijas dēļ elastībā, Younga modulis un pjezorezistīvā koeficienta izmaiņas ar kristāla orientāciju. Pusvadītāju pjezorezistiskā efekta lielums ir cieši saistīts ar pusvadītāja pretestību. Jo zemāka pretestība, jo mazāks jutības koeficients. Difūzijas pretestības pjezoresistisko efektu nosaka difūzijas rezistences kristāla orientācijas un piemaisījumu koncentrācija. Piemaisījumu koncentrācija galvenokārt attiecas uz difūzijas slāņa virsmas piemaisījumu koncentrāciju.